深圳市潤華創芯科技(ji)有限公司作(zuo)為專業(ye)的(de)(de)(de)(de)集成半導(dao)體器(qi)件(jian)設計與供(gong)應(ying)商，始終致力(li)于推(tui)廣性能卓越，質量穩定且具有價格競(jing)爭力(li)的(de)(de)(de)(de)集成半導(dao)體器(qi)件(jian)。為客(ke)戶提(ti)(ti)供(gong)優秀的(de)(de)(de)(de)芯片(pian)方(fang)案(an)，在功率(lv)半導(dao)體器(qi)件(jian)方(fang)面提(ti)(ti)供(gong)擊穿電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)覆蓋(gai)-100V至(zhi)700V的(de)(de)(de)(de)MOSFET，穩態電(dian)(dian)(dian)(dian)流覆蓋(gai)100mA至(zhi)400A的(de)(de)(de)(de)選擇范圍。采(cai)用(yong)最先進的(de)(de)(de)(de)溝槽工(gong)藝技(ji)術和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)流通路(lu)布局(ju)結構，實現(xian)了(le)MOSFET的(de)(de)(de)(de)功率(lv)密度(du)最大化，顯著降(jiang)低了(le)電(dian)(dian)(dian)(dian)流傳導(dao)過(guo)程中的(de)(de)(de)(de)導(dao)通功率(lv)損(sun)耗。同時，提(ti)(ti)供(gong)低開關損(sun)耗的(de)(de)(de)(de)系列MOSFET，產品(pin)有效(xiao)減(jian)低了(le)槽極電(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)（Qg），尤其是槽漏(lou)極間(jian)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)（Qgd），從而在快(kuai)速開關過(guo)程中降(jiang)低開關損(sun)耗。產品(pin)采(cai)用(yong)先進的(de)(de)(de)(de)SGT工(gong)藝，將MOSFET功率(lv)，散熱(re)和(he)可靠(kao)性提(ti)(ti)升至(zhi)新的(de)(de)(de)(de)高度(du)，確保MOSFET在復雜(za)使(shi)用(yong)環(huan)境中的(de)(de)(de)(de)可靠(kao)性，且有效(xiao)的(de)(de)(de)(de)降(jiang)低了(le)成本。
